Αλληλεπίδραση μεταξύ των μεταλλικών ή ετεροδυναμικών διεπιφανειών και των σφαλμάτων σε ημιαγωγούς ευρέως φάσματος

 
see the original item page
in the repository's web site and access all digital files if the item*
share




2008 (EN)
Interaction between metallic or heterostructures interfaces and the deffects at wide gaps semiconductors
Αλληλεπίδραση μεταξύ των μεταλλικών ή ετεροδυναμικών διεπιφανειών και των σφαλμάτων σε ημιαγωγούς ευρέως φάσματος

Πεχλιβάνη, Ελευθερία-Μαρία

We have investigated the formation of inversion domain boundaries (IDBs) and their density in one GaN and four AlGaN layers, which were grown on sapphire substrates, in different compositions using transmission electron microscopy (TEM). We found that the density of IDBs in Al0.23 Ga0.77 N appeared smaller than the other four samples, which have shown similar density. In addition, all samples found to be homogeneous and their compined buffer layers GaN or AlN measured as the value that growthers given.
Συμμετέχοντας από τις 1/10/2008-31/03/2008 στο Ευρωπαικό πρόγραμμα με θέμα « Αλληλεπίδραση μεταξύ των Μεταλλικών ή Ετεροδομικών 1ιεπιφανειών και των Σφαλμάτων σε Ημιαγωγούς Ευρέως Φάσματος», μελετήσαμε με τη βοήθεια της ηλεκτρονικής μικροσκοπίας διερχόμενης δέσμης επιταξιακά υμένια GaN και AlGaN, που αναπτύχθηκαν πάνω σε υπόστρωμα Al2O3 , υπό διαφορετική στοιχειομετρία. Τα δείγματά μας ήταν πέντε: το Χ 631, Χ 633, Χ635, Χ 636 και το Χ638. Στόχος μας ήταν να διαπιστώσουμε αν τα υλικά είναι ομογενή, να μετρήσουμε το πάχος του buffer layer (GaN ή AlN) που εμφανίζεται στο κάθε δείγμα και να το συγκρίνουμε με τη τιμή που μας έδιναν οι επιστήμονες που το ανέπτυξαν στη Γαλλία. Ακόμα, να βρούμε το είδος των σφαλμάτων και να υπολογίσουμε τη πυκνότητα που παρουσιάζουν. Τα αποτελέσματα από τη μελέτη έδειξαν ότι τα υλικά μας ήταν ομογενή, το πάχος των buffer layers συνέπιπτε με αυτό των κατασκευαστών, το είδος των σφαλμάτων αναδείχθηκε σε IDBs και η πυκνότητα σφαλμάτων IDBs παρουσιάστηκε μικρότερη στο δείγμα Χ 635, ύστερα από μελέτη σε εκτεταμένη περιοχή του δείγματος.

info:eu-repo/semantics/masterThesis
Postgraduate Thesis / Μεταπτυχιακή Εργασία

Ηλεκτρονικό μικροσκόπιο διερχόμενης δέσμης
Interfaces
Deffects idbs
Nitrides
Διεπιφάνειες
Υπεριώδης ακτινοβολία
Νιτρίδια
Semiconductors
Σφάλματα διεπιφάνειας
Ημιαγωγοί
Ultraviolet
TEM

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (EL)
Aristotle University of Thessaloniki (EN)

Greek
English

2008
2009-09-21T07:39:53Z


Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης, Σχολή Θετικών Επιστημών, Τμήμα Φυσικής

This record is part of 'IKEE', the Institutional Repository of Aristotle University of Thessaloniki's Library and Information Centre found at http://ikee.lib.auth.gr. Unless otherwise stated above, the record metadata were created by and belong to Aristotle University of Thessaloniki Library, Greece and are made available to the public under Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International license (http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0). Unless otherwise stated in the record, the content and copyright of files and fulltext documents belong to their respective authors. Out-of-copyright content that was digitized, converted, processed, modified, etc by AUTh Library, is made available to the public under Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International license (http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0). You are kindly requested to make a reference to AUTh Library and the URL of the record containing the resource whenever you make use of this material.
info:eu-repo/semantics/openAccess



*Institutions are responsible for keeping their URLs functional (digital file, item page in repository site)