A New Light-Impact Model for p-type and n-type poly-TFT

 
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



A New Light-Impact Model for p-type and n-type poly-TFT

Siskos, Stylianos
Papadopoulos, Nikolaos
Papakostas, Dimitrios
Picos, Rodrigo
Dimitriadis, Charalampos
Hatzopoulos, Alkiviadis

Δημοσιεύσεις μελών--ΣΤΕΦ--Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών, 2008
This paper introduces and verifies a new light-impact model (LIM) for both p-type and n-type polycrystalline thin-film transistors (poly-Si TFTs). The ratio of the produced current under a specific light intensity $(I_{d})$ over the dark current $(I_{\rm dark})$ is calculated. The new model has been also implemented in the circuit simulation program HSPICE. Comparative results between measurements and simulated characteristics are presented for different sizes of widths/lengths, different values of the $V_{\rm ds}$ and $V_{\rm gs}$ voltages and of light intensities.

Άλλο
other
Conference article
Other


Αγγλική γλώσσα

2008-07

10.1109/JDT.2009.2015898
Hatzopoulos, A., Dimitriadis, C., Papadopoulos, N., Siskos, S., Picos, R. and Papakostas, D. (2008). A New Light-Impact Model for p-type and n-type poly-TFT. Journal of Display Technology [online]. 5,(7), pp.265-272
1551-319X
Journal: Journal of Display Technology, vol.5, no.7, 2008

Δημοσιεύσεις σε Περιοδικά

Το τεκμήριο πιθανώς υπόκειται σε σχετική με τα Πνευματικά Δικαιώματα νομοθεσία
This item is probably protected by Copyright Legislation



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.