Using the Light-impact Model for p-type and n-type poly-TFT in Circuits

 
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Using the Light-impact Model for p-type and n-type poly-TFT in Circuits

Papadopoulos, Nikolaos
Papakostas, Dimitrios
Picos, Rodrigo
Dimitriadis, Charalampos

Δημοσιεύσεις μελών--ΣΤΕΦ--Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών, 2011
This paper describes and verifies a light impact model (LIM) for both p-type and n-type poly TFTs. At first the ratio of the produced current under a specific light intensity versus the `dark' current is calculated. Next, comparative results between measurements and simulated characteristics are presented for different sizes of W/L, different values of the Vds, Vgs voltages and of light intensities. Finally, the application of the LIM in the simulation of an optical-feedback driver is given.

Άλλο
other
Conference article
Other

Dark conductivity
Optical feedback
Semiconductor device models
Thin film transistors


18th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems

Αγγλική γλώσσα

2011-06

Papakostas, D., Picos, R., Dimitriadis, C. and Papadopoulos, N. (2011). Using the Light-impact Model for p-type and n-type poly-TFT in Circuits. In: International Conference Mixed Design of Integrated Circuits: conference proceedings, Gliwice, 2010. Gliwice: IEEE, pp.113-118.
International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, Gliwice, 2011
978-1-4577-0304-1

Δημοσιεύσεις σε Περιοδικά

Το τεκμήριο πιθανώς υπόκειται σε σχετική με τα Πνευματικά Δικαιώματα νομοθεσία
This item is probably protected by Copyright Legislation



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.