Evolution of resist roughness during development

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Evolution of resist roughness during development (EN)

Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Γογγολίδης, Ευάγγελος (EL)
Κωνσταντούδης, Βασίλειος (EL)

N/A (EN)

The examination of the roughness evolution of open-surface resist films during development may elucidate the material origins of Line Edge Roughness. In this paper, a stochastic simulator of resist development is used and the surface roughness evolution is analyzed with dynamic scaling theory. A power-law increase of rms roughness and correlation length is found for resists with homogeneous solubility. The scaling exponents are shown to obey the dynamical scaling hypothesis of Family-Viscek. The insertion of inhomogeneity in the solubility of resist causes much larger increase of rms roughness and anomalous scaling behaviour. Comparison with experimental results shows good agreement with the simulation predictions. (EN)

conferenceItem
poster

Ανάλυση δυναμικής κλιμάκωσης (EN)
Στοχαστική προσομοίωση (EN)
Μικροηλεκτρονική (EN)
Microelectronics (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

27th International Conference on Microelectronics (EN)

Αγγλική γλώσσα

2010-05-16

DOI: dx.doi.org/10.1117/1.3497580



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.