Modeling of double patterning interactions in litho-cure-litho-etch (LCLE) processes

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Modeling of double patterning interactions in litho-cure-litho-etch (LCLE) processes (EN)

Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Erdmann, Andreas (EN)
Shao, Feng (EN)
Fuhrmann, Juergen (EN)
Fiebach, Andre (EN)

Τρύφωνας, Πέτρος (EL)
N/A (EN)

This paper uses advanced modeling techniques to explore interactions between the two lithography processes in a lithocure- etch process and to qualify their impact on the final resist profiles and process performance. Specifically, wafer topography effects due to different optical properties of involved photoresist materials, linewidth variations in the second lithography step due to partial deprotection of imperfectly cured resist, and acid/quencher diffusion effects between resist materials are investigated. The paper highlights the results of the simulation work package of the European MD3 project. (EN)

conferenceItem
poster

Photoresist materials (EN)
LIthography (EN)
Υλικά φωτοαντίστασης (EN)
Λιθογραφία (EN)
Etching (EN)
Χαλκογραφία (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Optical Microlithography XXIII (EN)

Αγγλική γλώσσα

2010-02-21

DOI: http://dx.doi.org/10.1117/12.845849



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.