Detailed resist film modeling in stochastic lithography simulation for line-edge roughness quantification

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Detailed resist film modeling in stochastic lithography simulation for line-edge roughness quantification (EN)

Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Δρυγιαννάκης, Δ. (EL)
Ράπτης, Ιωάννης (EL)

N/A (EN)

Modeling the lithography process with stochastic principles enables the consideration of resist material and process effects variability on critical dimensions and line-edge or line-width roughness of printed features. These principles are applied for a resist system where polymer and photo-acid-generator (PAG) are blended, and for the same system with the PAG molecules bonded on the main polymer chain. Three-dimensional chain-like models of resist and PAG are considered and examples of their effect on critical dimensions and on resist edge roughness are presented. Comparison with experimental results from the literature proves the validity of the current approach and suggests that it can be used for the prediction of the resist resolution and low roughness capabilities. (EN)

journalArticle

Molecular simulation (EN)
Μοριακή προσομοίωση (EN)
Λιθογραφία (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Microelectronic Engineering (EN)

Αγγλική γλώσσα

2010-05

DOI: 10.1016/j.mee.2009.11.122

Elsevier (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.