Stochastic simulation studies of molecular resists

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Stochastic simulation studies of molecular resists (EN)

Νιακουλά, Δ. (EL)
Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Δρυγιαννάκης, Δ. (EL)
Ράπτης, Ιωάννης (EL)
Βιδάλη, Β. (EL)

Αργείτης, Π. (EL)
Κολαδούρος, Ηλίας (EL)
Γογγολίδης, Ευάγγελος (EL)
N/A (EN)

The influence of resist molecular weight as well as its architecture becomes important in lithographic scales aiming at sub-45 nm resolution. The effects of processing and resist molecular geometry on line-edge roughness (LER) should be well understood in order to meet the ITRS lithographic specifications. In this work, two-dimensional simulations and comparisons of the LER between films of molecular resists and resist films made of oligomers with the same molecular diameter, showed that in all cases molecular resists have lower LER. Explanations of this behavior are proposed based on molecular architecture and the free volume distribution in the resist film. It was also found that the size of free volume regions is less in molecular resist than in the corresponding oligomers. (EN)

journalArticle

High resolution lithography (EN)
Molecular resistance (EN)
Λιθογραφία υψηλής ανάλυσης (EN)
Applied physics (EN)
Εφαρμοσμένη φυσική (EN)
Μοριακή αντίσταση (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Microelectronic Engineering (EN)

Αγγλική γλώσσα

2007-01-27

DOI: 10.1016/j.mee.2007.01.044

Elsevier (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.