Etching behavior of Si-containing polymers as resist materials for bilayer lithography

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Etching behavior of Si-containing polymers as resist materials for bilayer lithography (EN)

Πάτσης, Γεώργιος Π. (EL)
Τσερέπη, Αγγελική Δ. (EL)
Γογγολίδης, Ευάγγελος (EL)
Κορδογιάννης, Γεώργιος (EL)
Κωνσταντούδης, Βασίλειος (EL)

Βαλαμόντες, Ευάγγελος Σ. (EL)
Cardinaud, Christophe (EN)
N/A (EN)
Cartry, Gilles (EN)
Turban, Guy (EN)
Eon, David (EN)
Peignon, Marie Claude (FR)

Line-edge roughness (LER) measurements of plasma-developed siloxane lines were carried out as a function of the radiation exposure dose and plasma development conditions. Results show that careful adjustment of the plasma process parameters is the determining factor in the patterning quality of dry developable bilayer resists with siloxane as the imaging layer. (EN)

journalArticle

Atomic force microscopy (EN)
Chemical modification (EN)
Χαρακτική στο πλάσμα (EN)
Lithography (EN)
Plasma etching (EN)
Συμβολομετρία (EN)
Μικροσκοπία Ατομικών Δυνάμεων (EN)
Λιθογραφία (EN)
Photoresists (EN)
Χημική τροποποίηση (EN)
Φωτοευαίσθητα υλικά (EN)
Interferometry (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Journal of Vacuum Science and Technology B (EN)

Αγγλική γλώσσα

2003-01

DOI: 10.1116/1.1535929

American Institute of Physics (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.