Electron-beam lithography simulation for the fabrication of EUV masks

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Electron-beam lithography simulation for the fabrication of EUV masks (EN)

Γλέζος, Ν. (EL)
Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Ράπτης, Ιωάννης (EL)
Τσικρικάς, Ν. (EL)

N/A (EN)

EUV lithography is considered as a possible technology for the mass production of devices at the 32 nm technology node and beyond. One special characteristic of EUV masks is its composition (Mo/Si multilayer, absorbing layer, etc.) which is totally different for the conventional photomask. This has to be considered explicitly in the simulation of electron-beam energy dissipation calculation (EDF(r)) using Monte Carlo methods. So far the application of analytical methods is very difficult in the case of substrates more complex than resist/layer, 1/layer, 2/bulk layer. The Monte Carlo procedure is utilized for the electron-beam energy deposition in a resist film covering a multi-layer of Mo/Si layers on top of a Si substrate. The effect of the number of layers of the Mo/Si structure and their thickness in terms of incident electron energy, on the backscattering coefficient and on the deposited energy in the multilayer stack is investigated. (EN)

journalArticle

Υπεριώδεις ακτίνες (EN)
Ultraviolet rays (EN)
Electron beams (EN)
Δέσμες ηλεκτρονίων (EN)
Applied physics (EN)
Εφαρμοσμένη φυσική (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Microelectronic Engineering (EN)

Αγγλική γλώσσα

2006-04

DOI: 10.1088/1742-6596/10/1/094

Elsevier (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.