Material and process effects on line-edge-roughness of photoresists probed with a fast stochastic lithography simulator

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Material and process effects on line-edge-roughness of photoresists probed with a fast stochastic lithography simulator (EN)

Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Γογγολίδης, Ευάγγελος (EL)

N/A (EN)

Stochastic simulation of photoresist line-edge roughness (LER) is attempted using a three dimensional (3D) lithography simulator incorporating a fast dissolution algorithm based on a modified critical ionizationmodel. The fast 3D simulation permits detailed evaluation of the material and process effects on LER. In this article the effects of deprotection fraction, critical ionization fraction, photoacid generator concentration, aciddiffusion range, and polymerization length on LER are investigated through simulation. It is found that the relation of LER to photoresistpolymerization length is greatly affected by the photoacid concentration and diffusion range. (EN)

journalArticle

Φωτοαντίσταση (EN)
Photoresistance (EN)
Πολυμερισμός (EN)
Διάχυση (EN)
LER (EN)
Polymerization (EN)
Diffusion (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Journal of Vacuum Science & Technology B (EN)

Αγγλική γλώσσα

2005-07-18

DOI: 10.1116/1.1990165

American Vacuum Society (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.