Monte Carlo simulation of gel formation and surface and line-edge roughness in negative tone chemically amplified resists

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Monte Carlo simulation of gel formation and surface and line-edge roughness in negative tone chemically amplified resists (EN)

Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Γογγολίδης, Ευάγγελος (EL)
Γλέζος, Νίκος (EL)

N/A (EN)

A molecular-based representation of a negative tone chemically amplified resist was developed and studied using stochastic simulations. The gel formation mechanism resulting from the reaction–diffusion phenomena in the polymer matrix during the postexposure bake step, as well as the surface and line-edge roughness formation were investigated in two dimensions. Graph theorycomputational techniques were employed to determine the gel cluster size and its relation to the fraction of the total number of chemically and physically cross-linked chains. Results of the simulation include the maximum aciddiffusion range, the cross-link density, the surface and line edge roughness, versus exposure dose and photoacid generator concentration. (EN)

journalArticle

Οξέα (EN)
Computational methods (EN)
Υπολογιστικές μέθοδοι (EN)
Διάχυση (EN)
Gels (EN)
Acids (EN)
Τραχιές επιφάνειες (EN)
Τζέλ (EN)
Rough surfaces (EN)
Diffusion (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Journal of Vacuum Science & Technology B (EN)

2003-01-23

DOI: 10.1116/1.1542616

American Vacuum Society (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.