Simulation of chemically amplified resist processes for 150 nm e-beam lithography

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο

Simulation of chemically amplified resist processes for 150 nm e-beam lithography (EN)

Γλέζος, Νίκος (EL)
Gentili, Monica (EN)
Di Fabrizio, Enzo (EN)
Cui, Zheng (EN)
Rosenbusch, Anja (EN)

Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Ράπτης, Ιωάννης (EL)
N/A (EN)
Meneghini, Giancarlo (EN)
Prewett, P. (EN)
Nowotny, B. (EN)

A fast simulator for e-beam lithography called SELID, is presented. For the exposure part, an analytical solution based on the Boltzmann transport equation is used instead of Monte Carlo. All-important phenomena (backscattering, generation of secondary electrons) are included in the calculation. The reaction/diffusion effects occurring during post exposure bake in the case of chemically amplified resists (CARs) are taken into account. The results obtained by the simulation are compared successfully with experimental ones for conventional and CARs. The case of substrates consisting of more than one layer is considered in depth as being of great importance in e-beam pattering. By using SELID, forecast of resist profile with considerable accuracy for a wide range of resists, substrates and energies is possible as long as the evaluation of proximity effect parameters. (EN)


Electron beams (EN)
Δέσμες ηλεκτρονίων (EN)
Μικροηλεκτρονική (EN)
Microelectronics (EN)
Εφαρμοσμένη φυσική (EN)
Applied physics (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

Microelectronic Engineering (EN)

Αγγλική γλώσσα


DOI: 10.1016/S0167-9317(99)00111-2

Elsevier (EN)

*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.