Short-range order and microstructure in hydrogenated amorphous silicon

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :

Αποθετήριο :
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Σημασιολογικός εμπλουτισμός από το EKT
Τμήμα περιοδικού (EL)
Επιστημονικό άρθρο (EL)
1991 (EL)
Short-range order and microstructure in hydrogenated amorphous silicon (EN)
Savatinova, I (EN)
Pantchev, B (EN)
Danesh, P (EN)
Raptis, YS (EN)
Liarokapis, E (EN)
An experimental study has been made on the relationship between short-range order and microstructure in hydrogenated amorphous silicon films. The properties of the material have been varied by applying rf power of different magnitudes. The change in the short-range order has been characterized by Raman scattering measurements. Microstructure has been determined by means of field assisted ion exchange technique. The observed correlation between the two structural length scales suggests that the presence of dihydride groups in these materials is a key factor for the release of the silicon network strain. (EN)
journalArticle (EN)
RAMAN-SCATTERING (EN)
FILMS (EN)
ALLOYS (EN)
STRUCTURAL RELAXATION (EN)
ENERGY BARRIER (EN)
A-SI (EN)
GLOW-DISCHARGE (EN)
GE (EN)
Physics, Applied (EN)
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
Κεντρική Βιβλιοθήκη Ε.Μ.Π.
Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις μελών Δ.Ε.Π. σε περιοδικά
Journal of Applied Physics (EN)
Αγγλική γλώσσα
1991 (EN)
http://hdl.handle.net/123456789/10555
ISI:A1991FP40100039 (EN)
11 (EN)
69 (EN)
10.1063/1.347537 (EN)
0021-8979 (EN)
7656 (EN)
7659 (EN)
AMER INST PHYSICS (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.