Accurate measurements of the silicon intrinsic carrier density from 78 to 340 K

 
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Accurate measurements of the silicon intrinsic carrier density from 78 to 340 K (EN)

Misiakos, K (EN)
Tsamakis, D (EN)

N/A (EN)

The intrinsic carrier density in silicon has been measured by a novel technique based on low-frequency capacitance measurements of a p+-i-n+ diode biased in high injection. The major advantage of the method is its insensitivity to uncertainties regarding the exact values of the carrier mobilities, the recombination parameters, and the doping density. The intrinsic carrier density was measured in the temperature range from 78 to 340 K. At 300 K the value of n(i) was found to be (9.7 +/- 0.1) X 10(9) cm-3. (EN)

journalArticle

Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (EL)
National Technical University of Athens (EN)

Journal of Applied Physics (EN)

1993


AMER INST PHYSICS (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.