LIGHT-EMISSION FROM SILICON NANOSTRUCTURES PRODUCED BY CONVENTIONAL LITHOGRAPHIC AND REACTIVE ION ETCHING TECHNIQUES

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :

Αποθετήριο :
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Σημασιολογικός εμπλουτισμός από το EKT
Τμήμα περιοδικού (EL)
Επιστημονικό άρθρο (EL)
1995 (EL)
LIGHT-EMISSION FROM SILICON NANOSTRUCTURES PRODUCED BY CONVENTIONAL LITHOGRAPHIC AND REACTIVE ION ETCHING TECHNIQUES (EN)
GRIGOROPOULOS, S (EN)
PAPADIMITRIOU, D (EN)
NASSIOPOULOS, AG (EN)
GOGOLIDES, E (EN)
Sub-ten nanometer diameter silicon pillars and silicon walls of the same thickness are Fabricated by using conventional optical lithography based on deep-UV exposure and reactive ion etching using fluorine only containing gases. The produced structures are studied for their luminescence properties. Visible photoluminescence with a peak in the range 580 to 650 nm is observed under Ar laser irradiation. (EN)
journalArticle (EN)
Reactive Ion Etching (EN)
Physics, Condensed Matter (EN)
FABRICATION (EN)
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
Κεντρική Βιβλιοθήκη Ε.Μ.Π.
Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις μελών Δ.Ε.Π. σε περιοδικά
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH (EN)
Αγγλική γλώσσα
1995 (EN)
http://hdl.handle.net/123456789/11566
1 (EN)
ISI:A1995RM43600013 (EN)
0370-1972 (EN)
10.1002/pssb.2221900114 (EN)
190 (EN)
91 (EN)
95 (EN)
AKADEMIE VERLAG GMBH (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.