Measurement and modeling of the anomalous dynamic response of high resistivity diodes at cryogenic temperatures

 
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο




1997 (EL)

Measurement and modeling of the anomalous dynamic response of high resistivity diodes at cryogenic temperatures (EN)

Misiakos, K (EN)
Tsamakis, D (EN)
Tsoi, E (EN)

A negative dynamic conductance and a negative dynamic capacitance were observed when a high resistivity (10 kΩ cm) silicon p/i/n diode is based in the double injection regime at liquid helium temperatures. At high frequencies (above 100 kHz) the negative capacitance varies as l/ω2 while the negative conductance exhibits a more complex behavior and, eventually changes sign at even higher frequencies (1 MHz). A quantitative model is presented which accounts for the conductance and capacitance behavior as a function of frequency and bias. The model is based on the shallow donor impact ionization and carrier trapping at the ionized donors. Additionally the breakdown voltage of the static I-V characteristics is used to calculate the unintentional compensation in the high resistivity substrate. © 1997 Elsevier Science Ltd. (EN)

journalArticle (EN)

Charge carriers (EN)
Low temperature operations (EN)
High Frequency (EN)
Cryogenic temperatures (EN)
Impact Ionization (EN)
Semiconductor diodes (EN)
Current voltage characteristics (EN)
Electric conductivity of solids (EN)
Substrates (EN)
Anomalous dynamic responses (EN)
Electric breakdown of solids (EN)
Cryogenics (EN)
Breakdown Voltage (EN)
i-v characteristic (EN)
Capacitance (EN)
Semiconductor device models (EN)
Ionization of solids (EN)
Semiconducting silicon (EN)
Semiconductor doping (EN)
Dynamic Response (EN)


Solid-State Electronics (EN)

1997 (EN)

00381101 (EN)
10.1016/S0038-1101(97)00060-9 (EN)
1103 (EN)
8 (EN)
1099 (EN)
41 (EN)




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.