δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
Hot-carrier effects in 0.15 mu m low dose SIMOX N-MOSFETs
Dimitrakis, P
Jomaah, J
Balestra, F
Papaioannou, GJ
The induced damage in Si film due to hot-carrier degradation of
partially depleted low dose SIMOX 0.15 mum gate length NMOSFET’s
operating near the off state were thoroughly investigated. It was
discovered that the less the doping density, the longer the device
lifetime. The front channel subthreshold swing was monitored mid ii was
found to be logarithmically dependant on stress time. BOX leakage
current exhibited a threshold ill stress time after which it was
decreased. This threshold depends on the stress conditions.
(EN)
Αγγλική γλώσσα
IEEE Comput. Soc
(EL)
IEEE Comput. Soc
(EN)
*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.
Βοηθείστε μας να κάνουμε καλύτερο το OpenArchives.gr.
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών
