In the present work, formed of two parts, the problem of internal strain in crystals of Zinc-Blende and diamond structure was examined.In the first part, the bond bending constant ζ for GaAs crystal was calculated. The method consisted of measuring the intensity of an X-ray beam, scattered on suitably selected crystal plane and stressed along the crystallographic direction [ΙĪ0] (Transverse case).The wavelength and reflection (hkl) were chosen according to older study of the issue.From measurements and calculations the value: ζ=0,764 ±0,009 was found for the bond bending constant for GaAs, while, for the ratio α/β of the constants of the forces between the atoms fixed the value: α/β=1,21 ±0,01These values are in very good coincidence to the values referred in the literature.In the second part of this study the strain’s law for the bond b by pressing along the [ΙΙĪ]crystallographic direction [111] was examined. (Longitudinal case). After careful study a crystal of Ge was selected as material.The experiment showed that the bond b did not follow the strain tensor, but a complex [ΙΙĪ]law of internal strain attributable in equation (41). In the second part of the work, for first time, a method of determining the bond bending constant ζ without measuring intensities is indicated The method gave for the bond bending constant of Ge the value: ζ = 0,88 ± 0,01, which is in very good coincidence to the values referred in the literature, especially to the theoretic value, calculated from the constants of the forces between atoms.
Εις την παρούσαν εργασίαν αποτελουμένην εκ δύο μερών, εξητάσθη το πρόβλημα της εσωτερικής παραμορφώσεως εις κρυστάλλους δομής Zinc-Blende και αδάμαντος.Εις το πρώτον μέρος, υπελογίσθη η σταθερά κάμψεως δεσμών ζ δια κρύσταλλον GaAs. Η μέθοδος συνίστατο εις την μέτρησιν της εντάσεως δέσμης ακτίνων Roentgen, σκεδαζομένης επί καταλλήλως επιλεγέντος κρυσταλλικού επιπέδου, συμπιεζομένου κατά την κρυσταλλογραφικήν διεύθυνσιν [ΙĪ0] (Εγκαρσία περίπτωσις).Το μήκος κύματος και η ανάκλασις (hkl) επελέγησαν κατά παλαιοτέραν μελέτην του ζητήματος.Εκ των μετρήσεων και υπολογισμών προέκυψε διά μεν την σταθεράν κάμψεως δεσμών του GaAs η τιμή: ζ=0,764 ±0,009 διά δε τον λόγον α/β των σταθερών των δυνάμεων μεταξύ των ατόμων η τιμή: α/β=1,21 ±0,01Αι τιμαί αύται ευρίσκονται εις πολύ καλήν σύμπτωσιν προς τας τιμάς τας αναφερομένας εις την βιβλιογραφίαν.Εις το δεύτερον μέρος της εργασίας εξητάσθη ο νόμος παραμπρφώσεως του δεσμού b [ΙΙĪ]διά συμπίεσιν κατά την κρυσταλλογραφικήν διεύθυνσιν [111] (Διαμήκης περίπτωσις). Ως υλικόν επελέγη κατόπιν μελέτης το Ge.Το πείραμα έδειξεν ότι ο δεσμός b δεν ακολουθεί τον τανυστήν παραμορφώσεων, αλλά [ΙΙĪ]πολύπλοκον νόμον εσωτερικής παραμορφώσεως, αποδιδόμενον υπό της εξισώσεως (41).Εις το δεύτερον μέρος της εργασίας υποδεικνύεται δια πρώτην φοράν μέθοδος προσδιορισμού της σταθεράς κάμψεως δεσμών ζ άνευ μετρήσεως εντάσεων.Η μέθοδος έδωκεν δια την σταθεράν κάμψεως δεσμών του Ge την τιμήν: ζ=0,88±0,01 η οποία ευρίσκεται εις πολύ καλήν σύμπτωσιν προς τας τιμάς τας αναφερομένας εις την βιβλιογραφίαν, ιδιαιτέρως δε προς την θεωρητηκήν τιμήν την υπολογισθείσαν εκ των σταθερών των δυνάμεων μεταξύ των ατόμων.
