Thin Film Growth of Gadolinia Metal - Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD)

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :

Αποθετήριο :
Ιδρυματικό Αποθετήριο Ολυμπιάς
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο

Thin Film Growth of Gadolinia Metal - Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) (EN)

J. McAleese, (EN)

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Χημείας (EL)
J. McAleese, (EN)

We report the growth of thin films of gadolinia using metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) under reduced pressure. The mixed ligand complex [(Gd(tmhd)3)2(tetraglyme)], where tmhd-H is 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione and tetraglyme is tetraethylene glycol dimethyl ether, was used as precursor. Silicon wafers with a (100) orientation were used as substrates. The work described can be considered as a preliminary stage in the eventual manufacture of solid electrolytes with a mixed metal composition of Ce0.9Gd0.1O1.95 and, as such, certain process parameters are restricted by limits associated with potential cerium precursors which are reported in a separate paper. The effects of the deposition conditions on the structure and composition of the resulting oxide films are presented. The dependence of growth on parameters such as the evaporation rate, moist oxygen flow rate and substrate temperature (Tsub) is discussed. Characterization of the microstructure using scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD) confirms the first reported growth, to our knowledge, of thin, uniform layers of gadolinia by the CVD technique. (EN)

Ceramics (EN)

Thin Solid Films (EN)

Αγγλική γλώσσα


Elsevier (EN)

*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.