Hot-carrier effects in 0.15 mu m low dose SIMOX N-MOSFETs

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :

Αποθετήριο :
Πέργαμος
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Σημασιολογικός εμπλουτισμός από το EKT
Άρθρο συνεδρίου (EL)
Επιστημονικό άρθρο (EL)
2000 (EL)
Hot-carrier effects in 0.15 mu m low dose SIMOX N-MOSFETs
Dimitrakis, P Jomaah, J Balestra, F Papaioannou, GJ
The induced damage in Si film due to hot-carrier degradation of partially depleted low dose SIMOX 0.15 mum gate length NMOSFET’s operating near the off state were thoroughly investigated. It was discovered that the less the doping density, the longer the device lifetime. The front channel subthreshold swing was monitored mid ii was found to be logarithmically dependant on stress time. BOX leakage current exhibited a threshold ill stress time after which it was decreased. This threshold depends on the stress conditions. (EN)
scientific_publication_inproceedings
Επιστημονική δημοσίευση - Ανακοίνωση Συνεδρίου (EL)
Scientific publication - Conference Paper (EN)
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών
Πέργαμος
Ανακοίνωση Συνεδρίου (Conference Paper)
Αγγλική γλώσσα
2000-01-01
uoadl:3052630
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3052630
IEEE Comput. Soc (EL)
IEEE Comput. Soc (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.