High sensitive depleted MOSFET-based neutron dosimetry

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
Hellenic Nuclear Physics Society   

Αποθετήριο :
Annual Symposium of the Hellenic Nuclear Physics Society  | ΕΚΤ eProceedings   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



High sensitive depleted MOSFET-based neutron dosimetry (EN)

Sarrabayrouse, G.
Zamani, M.
Siskos, S.
Konstantakos, V.
Laopoulos, T.
Fragopoulou, M.

info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion

2019-11-23


A new dosemeter based on a depleted Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor, sensitive to both neutrons and gamma radiation was manufactured at LAAS-CNRS Laboratory, Toulouse France. In order to be used for neutron dosimetry a thin film of lithium fluoride was deposited on the surface of the gate of the device. The characteristics of the dosemeter such as its response to neutron dose were investigated. The response in thermal neutrons was found to be high. In fast neutrons the response was lower than that of thermal neutrons but higher than the one presented in literature. (EN)


Annual Symposium of the Hellenic Nuclear Physics Society

Αγγλική γλώσσα

Hellenic Nuclear Physics Society (HNPS) (EN)


2654-0088
2654-007X
Annual Symposium of the Hellenic Nuclear Physics Society; Τόμ. 18 (2010): HNPS2010; 145-153 (EL)
HNPS Advances in Nuclear Physics; Vol. 18 (2010): HNPS2010; 145-153 (EN)

Πνευματική ιδιοκτησία (c) 2019 M. Fragopoulou, V. Konstantakos, M. Zamani, S. Siskos, T. Laopoulos, G. Sarrabayrouse (EL)




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.