R-MOSFET structure based on current division

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :

Αποθετήριο :
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Σημασιολογικός εμπλουτισμός από το EKT
Τμήμα περιοδικού (EL)
Επιστημονικό άρθρο (EL)
1993 (EL)
R-MOSFET structure based on current division (EN)
Tsividis, Y (EN)
Vavelidis, K (EN)
A parallel-path combination of resistors and MOSFETs is proposed for use in integrated continuous-time filters and other circuits. The technique allows continuous incremental tuning while maintaining significantly better linearity than MOSFET-only structures. (EN)
journalArticle (EN)
Resistors (EN)
Semiconductor device structures (EN)
MOSFET devices (EN)
FILTERS (EN)
Engineering, Electrical & Electronic (EN)
Current division (EN)
Digital filters (EN)
INTEGRATED CIRCUITS (EN)
MOSFETS (EN)
Tuning (EN)
Integrated circuits (EN)
Integrated continuous time filters (EN)
R MOSFET structure (EN)
Parallel path combination (EN)
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
Κεντρική Βιβλιοθήκη Ε.Μ.Π.
Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις μελών Δ.Ε.Π. σε περιοδικά
Electronics Letters (EN)
Αγγλική γλώσσα
1993 (EN)
http://hdl.handle.net/123456789/11056
732 (EN)
ISI:A1993LN17600003 (EN)
29 (EN)
733 (EN)
9 (EN)
0013-5194 (EN)
IEE-INST ELEC ENG (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.