Ανάπτυξη προτύπου (model) για την ηλεκτρική συμπεριφορά διατάξεων MOS που βασίζονται σε οξείδια υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς
(EL)
Ανδρουλιδάκης, Ιωσήφ Ι.
(EL)
Ευαγγέλου, E.
(EL)
Ανδρουλιδάκης, Ιωσήφ Ι.
(EL)
Ευαγγέλου
(EL)
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Η Παρούσα ιατριβή εκπονήθηκε στα πλαίσια του υποέργου 155 του ΠΕΝΕ 2003 στο πρόγραμμα μεταπτυχιακών σπουδών στις Σύγχρονες Ηλεκτρονικές Τεχνολογίες του Τμήματος Φυσικής του Πανεπιστημίου Ιωαννίνων. Στόχος ήταν να γραφτεί κατάλληλος κώδικας ο οποίος θα υπολογίζει τις χαρακτηριστικές
χωρητικότητας – τάσης (C-V) διατάξεων MOS, ανεπτυγμένων σε υποστρώματα Πυριτίου και Γερμανίου τα οποία χρησιμοποιούν high-k διηλεκτρικά πύλης. Τα σημαντικά προβλήματα που θέλαμε να επιλύσουμε ήταν η δυνατότητα ενσωμάτωσης προγράμματος ελαχιστοποίησης παραμέτρων με αυτόματο τρόπο καθώς επίσης και να προσθέσουμε στοιχεία για τον υπολογισμό των C-V τα οποία
να λαμβάνουν υπόψη το φαινόμενο του stretch-out. Αυτό έγινε δυνατό με κώδικα αυτοσυνεπούς επίλυσης των εξισώσεων Schrödinger – Poisson και διασύνδεσή του
με κατάλληλο κώδικα με το λογισμικό ελαχιστοποίησης Merlin. Αξίζει να σημειωθεί ότι αντίθετα με τη χρονοβόρα χειροκίνητη προσαρμογή δεδομένων (fitting) η ελαχιστοποίηση των παραμέτρων λαμβάνει χώρα πολύ γρήγορα χωρίς να είναι απαραίτητος ο υπερβολικός περιορισμός (constrain) των μεταβλητών.
(EL)
