Study of the structural properties of 3C-SiC, suitable semiconducting devices

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο

2008 (EL)
Μελέτη των δομικών ιδιοτήτων 3C-SiC καταλλήλου για ημιαγωγικές διατάξεις
Study of the structural properties of 3C-SiC, suitable semiconducting devices

Μάντζαρη, Αλκυόνη Β.

The study reported in this thesis is related to the structural characterization of silicon carbide (SiC) crystals by Transmission Electron Microscopy. Fourier Transform Infrared Reflectivity was also employed as a complementary technique for the optical characterization of the samples and the identification of polytypes in the polycrystalline samples. Thick films were grown by different techniques such as sublimation, physical vapor transport, continuous feed physical vapor transport and the traveling heater method. The epitaxial growth of cubic SiC (3C-SiC) epilayers on free standing 3C-SiC wafers by Hoya was performed by chemical vapor deposition. The aim of this thesis is to define the structural characteristics of the grown films via detailed observation and study in such a way that they can be correlated with the used growth techniques
Το θέμα το οποίο πραγματεύεται η παρούσα διδακτορική διατριβή, είναι ο δομικός χαρακτηρισμός υμενίων ανθρακοπυριτίου (silicon carbide-SiC) με την τεχνική της Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας Διέλευσης. Παράλληλα χρησιμοποιήθηκε ως συμπληρωματική μέθοδος η Φασματοσκοπία Υπερύθρου για τον οπτικό χαρακτηρισμό των δειγμάτων και την αναγνώριση των πολυτύπων στα πολυκρυσταλλικά δείγματα. Τα παχιά υμένια αναπτύχθηκαν με διάφορες τεχνικές όπως είναι η εξάχνωση, η φυσική μεταφορά ατμών, η φυσική μεταφορά ατμών με συνεχή τροφοδότηση και η μέθοδος μετακινούμενου θερμαντήρα, ενώ για την επιταξιακή ανάπτυξη επιστρωμάτων κυβικού SiC (3C-SiC) πάνω σε αυτοϋποστηριζόμενα δισκία 3C-SiC της εταιρείας Hoya, χρησιμοποιήθηκε η χημική εναπόθεση ατμών. Κύριος στόχος της παρούσας εργασίας, είναι η λεπτομερής παρατήρηση και μελέτη των δομικών χαρακτηριστικών των αναπτυσσόμενων υμενίων, ώστε να φανεί η σχέση που εμφανίζουν οι δομικές ατέλειες με τις χρησιμοποιηθείσες τεχνικές

PhD Thesis / Διδακτορική Διατριβή

Silicon carbide
Inversion domain boundaries(IDBS)
Weak phonon modes in infrared
Ηλεκτρονική μικροσκοπία
Ασθενείς τρόποι δόνησης φωνονίων στο υπέρυθρο
Electron microscopy
Διεπιφάνειες αναστροφής

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (EL)
Aristotle University of Thessaloniki (EN)


Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης, Σχολή Θετικών Επιστημών, Τμήμα Φυσικής

This record is part of 'IKEE', the Institutional Repository of Aristotle University of Thessaloniki's Library and Information Centre found at Unless otherwise stated above, the record metadata were created by and belong to Aristotle University of Thessaloniki Library, Greece and are made available to the public under Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International license ( Unless otherwise stated in the record, the content and copyright of files and fulltext documents belong to their respective authors. Out-of-copyright content that was digitized, converted, processed, modified, etc by AUTh Library, is made available to the public under Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International license ( You are kindly requested to make a reference to AUTh Library and the URL of the record containing the resource whenever you make use of this material.

*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.