Oxygen Contamination of Multilayer TiNx — SiO2 — Si Structures found by Resonant RBS Analysis

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
Hellenic Nuclear Physics Society   

Αποθετήριο :
Annual Symposium of the Hellenic Nuclear Physics Society  | ΕΚΤ eProceedings   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Oxygen Contamination of Multilayer TiNx — SiO2 — Si Structures found by Resonant RBS Analysis (EN)

Aslanoglou, X. A.
Kriembardis, G.
Kaliampakos, G.
Evangelou, E.
Dimitriades, Ch.
Konofaos, N.
Kossionides, E.

info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion

2020-02-01


Multi layer structures consisting of TiN — SÌO2 — Si layers operating as MOS devices were constructed and tested for their electrical properties. RBS and resonance reaction analysis were performed for the characterisation of the structure of the devices. The results show a correlation between the structure found by RBS and the electrical performance of the devices. (EN)


Annual Symposium of the Hellenic Nuclear Physics Society

Αγγλική γλώσσα

Hellenic Nuclear Physics Society (HNPS) (EN)


2654-0088
2654-007X
Annual Symposium of the Hellenic Nuclear Physics Society; Τόμ. 10 (1999): HNPS1999; 20-25 (EL)
HNPS Advances in Nuclear Physics; Vol. 10 (1999): HNPS1999; 20-25 (EN)

Πνευματική ιδιοκτησία (c) 2019 X. A. Aslanoglou, E. Evangelou, N. Konofaos, Ch. Dimitriades, E. Kossionides, G. Kaliampakos, G. Kriembardis (EL)




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.