Injection of point defects during annealing of low energy as implanted silicon

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Injection of point defects during annealing of low energy as implanted silicon (EN)

Σκαρλάτος, Δημήτριος (EL)
Βαλαμόντες, Ευάγγελος Σ. (EL)
Τσάμης, Χρήστος (EL)
Τσουκαλάς, Δημήτρης Σ. (EL)
Benassayag, Gérard (EN)

Claverie, Alain (EN)
N/A (EN)
Lerch, Wilfried (EN)

In this work, we investigate the interstitial injection into the silicon lattice due to high-dose, low energy arsenic implantation. The diffusion of the implanted arsenic as well as of boron, existing in buried δ-layers below the silicon surface, is monitored while successive amounts of the arsenic profile are removed by low temperature wet silicon etching. From the analysis of the diffusion profiles of both dopants, consistent values for the interstitial supersaturation ratio can be obtained. Moreover, the experimental results indicate that the contribution of the implantation damage to the TED of boron, and thus the interstitial injection, is not the main one. On the contrary, interstitial generation due to arsenic clustering seems to be more important for the present conditions. (EN)

conferenceItem
poster

Annealing (EN)
Point defects (EN)
Ανόπτηση (EN)
Έγχυση (EN)
Injection (EN)
Ατέλειες σημείου (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

E-MRS 2005, Symposium D — Materials Science and Device Issues for Future Technologies (EN)

Αγγλική γλώσσα

2005-12-05

DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.123

Elsevier (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.