Electron beam lithography simulation for the patterning of EUV masks

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Electron beam lithography simulation for the patterning of EUV masks (EN)

Πάτσης, Γεώργιος Π. (EL)
Βαλαμόντες, Ευάγγελος Σ. (EL)
Τσικρικάς, Νικόλαος (EL)
Ράπτης, Ιωάννης Α. (EL)
Gerardino, Annamaria (EN)

N/A (EN)

The effect of the number of layers of the Mo/Si structure and their relative thickness in terms of incident electron energy, on the backscattering coefficient and on the deposited energy in the resist film for a EUV mask is investigated. Experimental single pixel and test layout exposures on various Mo/Si stacks are in progress. Simulation accuracy improvement through the incorporation of secondary electrons and comparison of the simulation results with the corresponding experimental ones is in progress. (EN)

conferenceItem
poster

Electron backscattering (EN)
Nanopatterning (EN)
Μολυβδαίνιο (EN)
Electron beam lithography (EN)
Λιθογραφία ηλεκτρονικής δέσμης (EN)
Silicon (EN)
Αναδιάχυση ηλεκτρονίων (EN)
Πυρίτιο (EN)
Molybdenum (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 2007 (EN)

Αγγλική γλώσσα

2007

DOI: 10.1109/IMNC.2007.4456108

IEEE (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.