δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
Electron beam lithography simulation for the patterning of EUV masks
(EN)
20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 2007
(EN)
The effect of the number of layers of the Mo/Si structure and their relative thickness in terms of incident electron energy, on the backscattering coefficient and on the deposited energy in the resist film for a EUV mask is investigated. Experimental single pixel and test layout exposures on various Mo/Si stacks are in progress. Simulation accuracy improvement through the incorporation of secondary electrons and comparison of the simulation results with the corresponding experimental ones is in progress.
(EN)
*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.
Βοηθείστε μας να κάνουμε καλύτερο το OpenArchives.gr.
