δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
Stochastic simulation of material and process effects on the patterning of complex layouts
(EN)
The whole process of stochastic lithography simulation combined with an electron-beam simulation module, could be useful in the validation of design rules taking into account fine details such as line-edge roughness, and for simulating the layout before actual fabrication for design inconsistencies. Material and process parameters can no more be considered of second order importance in high-density designs. Line-width roughness quantification should accompany CD measurements since it could be a large fraction of the total CD budget. An example of the effects of exposure, material and processes on layouts are presented in this work using a combination of electron beam simulation for the exposure part, stochastic simulations for the modeling of resist film, the post-exposure bake, resist dissolution, and a simple analytic model for resist etching. Particular examples of line-width roughness and critical dimension non-uniformity due to, material, and process effects on the gate of a standard CMOS inverter layout are presented.
(EN)
Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXI
(EN)
*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.
Βοηθείστε μας να κάνουμε καλύτερο το OpenArchives.gr.
