Lifetime of phonons in semiconductors under pressure

 
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Lifetime of phonons in semiconductors under pressure (EN)

Ulrich, C (EN)
Syassen, K (EN)
Cardona, M (EN)
Debernardi, A (EN)
Anastassakis, E (EN)

N/A (EN)

We have measured the pressure dependence of the width of the first-order Raman lines in Si and Ge at low temperature. The width increases linearly with hydrostatic pressure, which implies a decrease of the lifetime of the long-wavelength optical phonons. The results are compared with recent first-principles calculations of anharmonic decay into two phonons of lower energy, based on third-order density-functional perturbation theory. Provided the calculations are slightly adjusted so that the relevant frequencies agree exactly with the measured ones, the agreement for the linewidths between theory and experiment is excellent. (EN)

journalArticle

Pressure effects (EN)
Phonon lifetime (EN)
Raman scattering (EN)
Hydrostatic pressure (EN)
Perturbation techniques (EN)
Full width at half maximum (EN)
Phonons (EN)
First order Raman lines (EN)
Semiconducting silicon (EN)
Frequencies (EN)
Semiconducting germanium (EN)
Anharmonic decay (EN)

Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (EL)
National Technical University of Athens (EN)

Physical Review Letters (EN)

1997


AMERICAN PHYSICAL SOC (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.