δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Growth and p-type doping of ZnSeTe on InP (EN)

Bimberg, D (EN)
Hoffmann, A (EN)
Pohl, UW (EN)
Strassburg, M (EN)
Raptis, YS (EN)
Schulz, O (EN)
Kontos, AG (EN)

conferenceItem (EN)

2014-03-01T02:42:15Z
2003 (EN)


Metalorganic vapour phase epitaxy and the p-type doping of ZnSeTe layers on InP (1 0 0) using phosphorus acceptors are presented, The influences of molar ratio in the vapour phase and the ZnCdSe buffer are described. The dependence of the free hole concentration on the P incorporation into ZnSeTe and on the composition of the layers is revealed. The p-type conduction is verified by C-V profiling. Best crystalline quality is found for lattice-matched layers. while highest p-type conductivity is achieved with Te-rich layers. Free hole concentrations of 3 x 10(18). and I x 10(17) cm(-3) are obtained for strained and lattice matched ZnSeTe layers. respectively. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. (EN)

Crystallography (EN)

A1. p-Type doping (EN)
Composition (EN)
Phosphorus acceptor (EN)
Metallorganic vapor phase epitaxy (EN)
B1. ZnSeTe (EN)
Semiconducting zinc compounds (EN)
B1. Phosphorus acceptor (EN)
Doping (additives) (EN)
B2. Semiconducting II-VI materials (EN)
A3. Metalorganic vapor phase epitaxy (EN)
Semiconducting indium phosphide (EN)

Journal of Crystal Growth (EN)

Αγγλική γλώσσα

ELSEVIER SCIENCE BV (EN)




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.