SILICON SOLAR CELLS FABRICATED WITH ION IMPLANTATION METHODS

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



ΗΛΙΑΚΕΣ ΚΥΨΕΛΙΔΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΕΣ ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ ΤΗΣ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΕΜΦΥΤΕΥΣΗΣ
SILICON SOLAR CELLS FABRICATED WITH ION IMPLANTATION METHODS

Carabelas, Alexios
Καράμπελας, Αλέξανδρος

PhD Thesis

1985


ΕΓΙΝΕ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΩΝ ΚΥΨΕΛΙΔΩΝ ΜΟΝΟΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΤΗΝ ΜΕΘΟΔΟ ΤΗΣ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΕΜΦΥΤΕΥΣΗΣ, ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΕΙΤΑΙ ΓΙΑ VISI-LST ΚΛΠ. Η ΑΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΗΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗΣ ΤΑΞΗΣ ΚΑΙ Η ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΣΗ ΤΩΝ ΦΟΡΕΩΝ, ΣΥΝΕΠΕΙΑ ΤΗΣ ΙΟΝΤΙΚΗΣ ΕΜΦΥΤΕΥΣΗΣ, ΕΓΙΝΕ ΜΕ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΕΣ ΔΕΣΜΕΣ ΟΠΩΣ LASER ΠΑΛΜΙΚΟ 'Η ΣΥΝΕΧΕΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΑ ΠΑΛΜΙΚΑ 'Η ΣΥΝΕΧΗ, ΦΩΤΟΝΙΑ ΚΑΙ ΜΕ ΑΥΤΟΑΝΟΠΤΗΣΗ. ΤΟ ΠΡΟΦΙΛ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΕΩΣ ΜΕΤΡΗΘΗΚΕ ΚΑΙ ΚΑΘΟΡΙΣΤΗΚΕ ΜΕ ΧΗΜΙΚΗ ΑΠΟΛΕΠΤΙΣΗ ΤΟΥ ΔΕΙΓΜΑΤΟΣΟΠΩΣ ΚΑΙ Η ΕΥΚΙΝΗΣΙΑ ΤΩΝ ΦΟΡΕΩΝ ΜΕ ΤΗΝ ΜΕΘΟΔΟ ΤΩΝ ΤΕΣΣΑΡΩΝ ΣΗΜΕΙΩΝ ΤΟΥ HALL ΣΕ ΓΕΩΜΕΤΡΙΑ VAN DER PAUW. ΓΙΑ ΝΑ ΑΥΞΗΣΟΥΜΕ ΤΗΝ ΑΠΟΔΟΣΗ ΤΗΣ ΚΥΨΕΛΙΔΑΣ ΕΓΙΝΕ ΠΟΛΛΑΠΛΗ ΕΜΦΥΤΕΥΣΗ ΣΕ ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΚΑΝΑΛΟΠΟΙΗΣΗΣ ΣΕ 10 KEV ΚΑΙ ΣΕ ΤΥΧΑΙΕΣ ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΥΠΟ 40 KEV ΠΑΡΑΤΗΡΗΘΗΚΑΝ ΦΑΙΝΟΜΕΝΑ ΑΝΩΜΑΛΗΣ ΔΙΑΧΥΣΗΣ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΝΟΠΤΗΣΗ ΠΟΥ ΕΧΟΥΝ ΣΧΕΣΗ ΜΕ ΤΗΝ ΜΕΘΟΔΟ ΑΝΟΠΤΗΣΗΣ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΕΙΤΑΙ. ΤΕΛΟΣ, ΜΕΤΡΗΘΗΚΑΝ ΟΙ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΙ I, V, FF, ΚΑΙ Η ΤΗΣ ΚΥΨΕΛΙΔΑΣ ΓΙΑ ΚΑΘΕ ΜΕΘΟΔΟ ΑΝΟΠΤΗΣΗΣ ΚΑΙ ΜΕ 'Η ΧΩΡΙΣΑΝΤΙΑΝΑΚΛΑΣΤΙΚΟ ΣΤΡΩΜΑ ΚΑΙ ΕΓΙΝΕ ΣΥΓΚΡΙΣΗ ΤΩΝ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΩΝ. ΠΑΡΑΤΗΡΗΘΗΚΕ ΟΤΙΟΙ ΠΡΟΗΓΟΥΜΕΝΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗΣ ΕΙΝΑΙ ΣΥΓΚΡΙΣΙΜΕΣ ΚΑΙ ΑΝΑΠΑΡΑΓΩΓΙΣΙΜΕΣ ΣΕΣΧΕΣΗ ΜΕ ΤΟΝ ΠΑΡΑΔΟΣΙΑΚΟ ΤΡΟΠΟ ΤΗΣ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΔΙΑΧΥΣΗΣ.
THE MONOCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS WERE PREPARED WITH THE METHOD ON ION IMPLANTATION, A METHOD USED IN VISI AND LSI ETC. THE RECRYSTALLISATION OF THE CRYSTALLINES AND THE ELECTRICAL CARRIER ACTIVATION WAS OBTAINED BY LASERS (PULSE OR CONTINUOUS), E-BEAM (PULSE OR CONTINUOUS). INCOHERENT LIGHT AND WITH SELF ANNEALING THE PROFILE CONCENTRATION AND THE MOBILITY OF CARRIES WAS MEASUREDAND DETERMINED BY ETCHING THE SURFACE OF THE SAMPLES THEN THE METHOD OF THE FOUR POINTS (VAN DER PAUW GEOMETRY AND THE HALL EFFECT WERE USED). IN ORDER TOIMPROVE THE EFFICIENCY OF THE CELL THE MULTIPLE IMPLANTATION WAS USED IN CHANNELING AND RANDOM CONDITIONS. PHENOMENA OF ANOMALOUS DIFFUSION WERE OBSERVED DURING ANNEALING A DEPENDING ON THE ANNEALING PROCESSING. FINALLY THE I-V, FF, AND CELL PARAMETERS WERE MEASURED FOR EACH ANNEALING METHOD WITH OR WITHOUT ANTIREFLECTIVE COATING, AND THE RESULTS WERE COMPARED.

Φυσική
Φυσικές Επιστήμες

RECOVERY OF CRYSTALLINE STRUCTURE
SPECTRAL RESPONSE DETERMINATION
Φυσικές Επιστήμες
ΠΟΛΛΑΠΛΗ ΕΜΦΥΤΕΥΣΗ
ΦΩΤΟΒΟΛΤΑΙΚΕΣ ΚΥΨΕΛΙΔΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ
PHENOMENA OF ANOMALOUS DIFFUSION
Physical Sciences
PREPARATION OF SILICON SOLAR CELLS
ION IMPLANTATION TECHNOLOGY
Φυσική
ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΥΛΙΚΩΝ
Natural Sciences
ELECTRICAL ACTIVATION OF CARRIES

Ελληνική γλώσσα

Πανεπιστήμιο Πατρών
University of Patras

Πανεπιστήμιο Πατρών. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.