1. Αρχική σελίδα
  2. Αναζήτηση

Formation and properties of metastable defects induced by pulsed laser irradiation in hydrogenated amorphous Silicon

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
Πανεπιστήμιο Κρήτης   

Αποθετήριο :
E-Locus Ιδρυματικό Καταθετήριο   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Δημιουργία και ιδιότητες των μετασταθών ατελειών στο άμορφο Υδρογονωμένο Πυρίτιο: μελέτη με ισχυρό παλμικό laser
Formation and properties of metastable defects induced by pulsed laser irradiation in hydrogenated amorphous Silicon
Κοπιδάκης, Νίκος
Τζανετάκης, Παναγιώτης
Τύπος Εργασίας--Διδακτορικές διατριβές
text
1998-07-01
1998-10-27
Στόχος της διατριβής είναι η μελέτη τόσο της κινητικής της δημιουργίας μετασταθών ατελειών στο άμορφο Υδρογονομένο πυρίτιο (α-Si:H), όσο και της επίδρασης αυτών στην απανασύνδεση των φωτοφορέων. Πραγματοποιήθηκαν μετρήσεις κινητικής δημιουργίας ατελειών με ισχυρό παλμικό laser και έγινε σύγκριση με μετρήσεις κάτω από συνεχή φωτισμό. Επίσης, πραγματοποιήθηκαν μετρήσεις φωτοαγωγιμότητας στη διάρκεια του ισχυρού παλμού laser. Μελετήθηκε και ερμηνεύτηκε η εμφάνιση περιοχής φορτίου χώρου σε δείγματα a-Si:H και η επίδρασή της στη φωτοαγωγιμότητα του υλικού. Κύρια συμπεράσματα είναι: 1) Η κινητική δημιουργίας ατελειών με laser αλλάζει σε δείγματα με προσμείξεις, 2)Η φωτοαγωγιμότητα δεν είνααι μονότιμη συνάρτηση της πυκνότητας ατελειών, 3) Η επανασύνδεση των φωτοφορέων στη διάρκεια του παλμού laser είναι ανεξάρτητα της πυκνότητας ατελειών και προσμίξεων. (EL)
The aim of this thesis is the study of the kinetics of creation of metastable defects in Hydrogenated Amovphous Silicon (a-Si:H) as well as the effect of these defects on the transport properties. We measured the kinetics of creation of metastable defects with short, intence laser pulses in various samples and compared to results obtained with continous illumination. The recombination of photocarries during the laser pulse was studied for the first time. We also studied, in relation to the defect density, the creation of a space charge region near the cathode in photoconducting a-Si:H. The main conclusions are: 1) the kinetics of defect creation changes with doping, 2)the photoconductivity is not a single-valued function of defect density, 3) recombination of photocarriers during the high intensity pulses in independent of defects and of doping. (EN)
Αγγλική γλώσσα
Πανεπιστήμιο Κρήτης
E-Locus Ιδρυματικό Καταθετήριο
Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Διδακτορικές διατριβές
Elocus



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.