1. Αρχική σελίδα
  2. Αναζήτηση

Electron beam lithography simulation for the patterning of extreme ultraviolet masks

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας   

Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Electron beam lithography simulation for the patterning of extreme ultraviolet masks (EN)
Quesnel, E. (EL)
Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Ράπτης, Ιωάννης (EL)
Τσικρικάς, Ν. (EL)
Gerardino, Annamaria (EN)
journalArticle
2015-05-17T16:33:22Z
2015-05-17
2008
Japanese Journal of Applied Physics (EN)
Extreme ultraviolet lithography (EUVL) mask is a complex multilayer stack, fabricated with electron-beam lithography. Detailed understanding of the scattering events and energy loss mechanism of the electron beam within this stack is mandatory due to the high accuracy requirements of the fabrication process. Simulation of electron-beam lithography is performed incorporating the details of the mask material-stack and the metrological information of the final layout is quantified. The effect of the Mo–Si multilayer of the EUVL mask blank on the deposited energy in the resist film is investigated. Simulation of complex layout containing features of various sizes down to 100 nm reproduced experimental metrology trends on the fine features of the layout. (EN)
**N/A**-Τεχνολογία
Particle beams
Ηλεκτρονική
Διάχυση ενέργειας
http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85042383
Electronics
Multilayer substrates
Τεχνολογία
Technology
**N/A**-Ηλεκτρονική
Energy dissipation
Δέσμες σωματιδίων
Πολυστρωματικά υποστρώματα
http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85133147
Applied physics
Εφαρμοσμένη φυσική
http://iopscience.iop.org/
Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/
forever
ΤΕΙ Αθήνας
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.