High resolution patterning and simulation on Mo/Si multilayer for EUV masks

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας   

Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



High resolution patterning and simulation on Mo/Si multilayer for EUV masks (EN)

Gerardino, Annamaria (EL)
Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Ράπτης, Ιωάννης (EL)
Τσικρικάς, Ν. (EL)

conferenceItem
poster

2015-05-17T17:01:45Z
2015-05-17

2008-01-21


Electron Beam writing process is essential for EUV mask manufacturing and direct writing. Electron beam lithography simulation tools can provide critical information in the way of obtaining high accuracy results. In the present work a software tool which performs e-beam writing simulation, resist development simulation and automated metrology has been developed and applied in the case of Mo/Si multilayer substrates. Simulation results are compared with experimental ones in order to evaluate the simulation's accuracy. (EN)
24th European Mask and Lithography Conference (EN)

**N/A**-Τεχνολογία
Ηλεκτρονική
Ultraviolet rays
http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85042383
Δέσμες ηλεκτρονίων
Electronics
Μετρολογία
Τεχνολογία
Υπεριώδεις ακτίνες
Electron beams
Technology
**N/A**-Ηλεκτρονική
Metrology
http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85133147

SPIE (EN)


http://proceedings.spiedigitallibrary.org

Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/
forever




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.