High resolution patterning and simulation on Mo/Si multilayer for EUV masks

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας
Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



High resolution patterning and simulation on Mo/Si multilayer for EUV masks (EN)

Gerardino, Annamaria (EL)
Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Ράπτης, Ιωάννης (EL)
Τσικρικάς, Ν. (EL)

N/A (EN)

Electron Beam writing process is essential for EUV mask manufacturing and direct writing. Electron beam lithography simulation tools can provide critical information in the way of obtaining high accuracy results. In the present work a software tool which performs e-beam writing simulation, resist development simulation and automated metrology has been developed and applied in the case of Mo/Si multilayer substrates. Simulation results are compared with experimental ones in order to evaluate the simulation's accuracy. (EN)

conferenceItem
poster

Υπεριώδεις ακτίνες (EN)
Ultraviolet rays (EN)
Electron beams (EN)
Δέσμες ηλεκτρονίων (EN)
Metrology (EN)
Μετρολογία (EN)

ΤΕΙ Αθήνας (EL)
Technological Educational Institute of Athens (EN)

24th European Mask and Lithography Conference (EN)

Αγγλική γλώσσα

2008-01-21

DOI: 10.1117/12.798804

SPIE (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.