1. Αρχική σελίδα
  2. Αναζήτηση

Line edge roughness investigation on chemically amplified resist materials with masked helium ion beam lithography

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
ΤΕΙ Αθήνας   

Αποθετήριο :
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Line edge roughness investigation on chemically amplified resist materials with masked helium ion beam lithography (EN)
Zeininger, Michalea (EN)
Fallmann, Wolfgang (EN)
Loeschner, Hans (EN)
Eder-Kapl, Stefan (EN)
Kirch, Oliver (EN)
Πάτσης, Γεώργιος (EL)
Γογγολίδης, Ευάγγελος (EL)
Κωνσταντούδης, Βασίλειος (EL)
journalArticle
2015-05-20T00:22:45Z
2015-05-20
2004-06
We conducted line edge roughness (LER) measurements on resists with various sensitivities, exposed with a 75 keV 1:1 masked ion beam lithography tool. The critical dimension measurement data were treated with an algorithm for separation of mask induced roughness from random LER. The scaling analysis approach provided the correlation length and the roughness exponent. The results indicate that for exposure doses >2.5 μC/cm2 LER is not governed by shot noise but by the resist material properties (sensitivity, molecular weight, acid diffusion length) and development conditions. (EN)
Microelectronic Engineering (EN)
**N/A**-Τεχνολογία
Ηλεκτρονική
http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85042383
Electronics
Ion beam
Microelectronics
Τεχνολογία
Ανάλυση διακύμανσης
Ήλιο
Technology
**N/A**-Ηλεκτρονική
Δέσμη ιόντων
LER
ΜΙκροηλεκτρονική
http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85133147
Analysis of variance
Elsevier (EN)
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931704001078
http://www.sciencedirect.com
Αναφορά Δημιουργού-Μη Εμπορική Χρήση-Όχι Παράγωγα Έργα 3.0 Ηνωμένες Πολιτείες
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/
campus
ΤΕΙ Αθήνας
Υπατία - Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.