Design of two devices for biaxial stresses and their application to silicon wafers

 
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Design of two devices for biaxial stresses and their application to silicon wafers (EN)

Richter, W (EN)
Liarokapis, E (EN)

N/A (EN)

Two devices have been constructed for the development of biaxial stresses and the study of deformation potentials on thin layers. In the first device hydrostatic pressure was employed to develop a two-dimensional stress environment on thin silicon wafers. The deformation of the plates was found to be related to the third root of the pressure applied, in good agreement with theory. The second apparatus used a central force for the bending of the wafer, and the stresses, as detected from the frequency shift of the silicon phonon line in the Raman spectra, were confined to a small area of the plate. In both devices and analytic relation between the radius of curvature at the centre of the wafer and the stresses developed was established. (EN)

journalArticle

MODULUS (EN)
STRAIN (EN)

Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (EL)
National Technical University of Athens (EN)

Measurement Science and Technology (EN)

1992


IOP PUBLISHING LTD (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.