Electronic structure and band - gap study of Si1-xCx

 
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Electronic structure and band - gap study of Si1-xCx (EN)

Xanthakis, JP (EN)

N/A (EN)

The electronic structure of Si1-xCx has been calculated, in the region x > 0.5 in terms of x, the ratio of sp2 sites a and the short-range order parameters. By comparing Eg(x) to the experimental gaps we deduce that in the low hydrogenation limit the material is close to chemical order and that for high a, Eg (x) displays a hump, whereas at low a it is monotonic. © 1993. (EN)

journalArticle

Electronic Structure (EN)
Band structure (EN)
Electronic properties (EN)
Chemical order (EN)
Electronic structure (EN)
Silicon carbide (EN)
Band Gap (EN)
Solid state physics (EN)
Amorphous materials (EN)
Band gap (EN)
Low hydrogenation limit (EN)

Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (EL)
National Technical University of Athens (EN)

Journal of Non-Crystalline Solids (EN)

1993


ELSEVIER SCIENCE BV (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.