Electronic structure and band - gap study of Si1-xCx

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :

Αποθετήριο :
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Σημασιολογικός εμπλουτισμός από το EKT
Τμήμα περιοδικού (EL)
Επιστημονικό άρθρο (EL)
1993 (EL)
Electronic structure and band - gap study of Si1-xCx (EN)
Xanthakis, JP (EN)
The electronic structure of Si1-xCx has been calculated, in the region x > 0.5 in terms of x, the ratio of sp2 sites a and the short-range order parameters. By comparing Eg(x) to the experimental gaps we deduce that in the low hydrogenation limit the material is close to chemical order and that for high a, Eg (x) displays a hump, whereas at low a it is monotonic. © 1993. (EN)
journalArticle (EN)
Electronic Structure (EN)
Band structure (EN)
Electronic properties (EN)
Band Gap (EN)
Materials Science, Ceramics (EN)
Materials Science, Multidisciplinary (EN)
Solid state physics (EN)
Amorphous materials (EN)
Chemical order (EN)
Electronic structure (EN)
Silicon carbide (EN)
Band gap (EN)
Low hydrogenation limit (EN)
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
Κεντρική Βιβλιοθήκη Ε.Μ.Π.
Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις μελών Δ.Ε.Π. σε περιοδικά
Journal of Non-Crystalline Solids (EN)
Αγγλική γλώσσα
1993 (EN)
http://hdl.handle.net/123456789/10948
1019 (EN)
1022 (EN)
164-166 (EN)
PART 2 (EN)
0022-3093 (EN)
ISI:A1993MT78200090 (EN)
10.1016/0022-3093(93)91171-X (EN)
ELSEVIER SCIENCE BV (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.