Static current-voltage characteristics of silicon n+-i-n+ resistors at liquid helium temperatures

 
Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :

Αποθετήριο :
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*
κοινοποιήστε το τεκμήριο



Σημασιολογικός εμπλουτισμός από το EKT
Τμήμα περιοδικού (EL)
Επιστημονικό άρθρο (EL)
1996 (EL)
Static current-voltage characteristics of silicon n+-i-n+ resistors at liquid helium temperatures (EN)
Glezos, N (EN)
Tsamakis, D (EN)
The behaviour of the (I-V) characteristics is investigated in n(+)-i-n(+) highly compensated Si resistors at temperatures 4.2-45K. The conduction mechanisms are discussed in detail here. The prebreakdown and breakdown regions of I-V characteristics were simulated by a one-dimensional model including the evidence of impurity high compensation and freeze out effects as well as the shallow-dopants impact ionisation by the injected hot carriers into the base. Negative resistance (S-type) phenomena are also observed on the characteristics for high injection current densities. (EN)
journalArticle (EN)
Resistors (EN)
Liquid helium temperatures (EN)
Semiconductor devices (EN)
Electron transport properties (EN)
Negative resistance (EN)
Physics, Multidisciplinary (EN)
Hot carriers (EN)
Current voltage characteristics (EN)
Low temperature effects (EN)
Silicon on insulator technology (EN)
current-voltage characteristic (EN)
Current Density (EN)
Freeze out effects (EN)
High injection current densities (EN)
i-v characteristic (EN)
Semiconductor device models (EN)
Semiconducting silicon (EN)
Silicon resistors (EN)
Current density (EN)
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
Κεντρική Βιβλιοθήκη Ε.Μ.Π.
Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις μελών Δ.Ε.Π. σε περιοδικά
Journal De Physique. IV : JP (EN)
Αγγλική γλώσσα
1996 (EN)
http://hdl.handle.net/123456789/12057
1155-4339 (EN)
3 (EN)
6 (EN)
10.1051/jp4:1996314 (EN)
93 (EN)
ISI:A1996UU97300015 (EN)
98 (EN)
EDITIONS PHYSIQUE (EN)



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.