An infrared investigation of the 887 cm-1 band in Cz-Si

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών   

Αποθετήριο :
Πέργαμος   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



An infrared investigation of the 887 cm-1 band in Cz-Si

Fytros, L.G. Georgiou, G.J. Londos, C.A. Emtsev, V.V.

scientific_publication_article
Επιστημονική δημοσίευση - Άρθρο Περιοδικού (EL)
Scientific publication - Journal Article (EN)

1999


We report on infrared studies of the 887cm-1 band arising in silicon, subjected to neutron irradiation with subsequent thermal anneals. Deconvolution of this band indicates the presence of two peaks: a strong one at 887cm-1 and a weak one at 884cm-1. The 887cm-1 peak is, generally, attributed to the VO2 defect. We have tentatively correlated the 884cm-1 peak to a [VO2 + V] defect structure. Theoretical calculations of the vibrational frequencies of the two defects support the above hypothesis. The new picture for the 887cm-1 band, could account for the exhibited uniaxial-stress behaviour. © 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved. (EN)

Αγγλική γλώσσα

Ερευνητικό υλικό ΕΚΠΑ

https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.