Δομικά μοντέλα υλικών τεχνολογίας σε ατομικό επίπεδο με υπολογιστικές μεθόδους ανάλυσης

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Atomic scale structural modelling of technology materials via computational analysis methods
Δομικά μοντέλα υλικών τεχνολογίας σε ατομικό επίπεδο με υπολογιστικές μεθόδους ανάλυσης

Pavloudis, Theodoros
Παυλούδης, Θεόδωρος

PhD Thesis

2016


Σκοπός της διατριβής ήταν η διερεύνηση των ιδιοτήτων ημιαγώγιμων υλικών και νανοδιατάξεων με τη χρήση υπολογιστικών εργαλείων και συγκεκριμένα μεθόδων πρώτων αρχών, μοριακής δυναμικής και αλγορίθμων πρόβλεψης δομής, αξιοποιώντας υπολογιστικές δομές υψηλής ισχύος. Αρχικά, μελετήθηκε η παραμορφωσιακή, εντατική και ενεργειακή κατάσταση νανοδίσκων νιτριδίου του ινδίου-γαλλίου σε νανοσυρμάτα νιτριδίου του γαλλίου και οι ηλεκτρονικές ιδιότητες των νανοσυρμάτων. Στη συνέχεια διερευνήθηκαν οι δομικές, ηλεκτρονικές και θερμικές ιδιότητες νανοσυρμάτων αρχιτεκτονικής πυρήνα/φλοιού νιτριδίου του γαλλίου/νιτριδίου του αλουμινίου και οι δομικές ιδιότητες νανοσυρμάτων αρχιτεκτονικής πυρήνα/φλοιού αρσενιδίου του γαλλίου/αρσενιδίου του αλουμινίου-γαλλίου. Τέλος, πραγματοποιήθηκε πρόβλεψη της δομής των τριμερών νιτριδίων του γαλλίου-ινδίου, του αλουμινίου-γαλλίου, του αλουμινίου-ινδίου και του κασσιτέρου-πυριτίου, την οποία ακολούθησε αναλυτική ενεργειακή μελέτη τους και διερεύνηση των ηλεκτρονικών τους ιδιοτήτων.
The aim of this thesis was the investigation of the properties of semiconducting materials and nanostructures using computational tools such as ab initio methods, molecular dynamics simulations and structure prediction algorithms, utilizing high performance computers. Initially, the energetics and strain of indium-gallium nitride nanodisks in gallium nitride nanowires and the electronic properties of the nanowires were examined. Furthermore, the structural, electronic and thermal properties of gallium nitride/aluminum nitride core/shell nanowires and the structural properties of gallium arsenide/aluminum-gallium arsenide core/shell nanowires were investigated. Finally, the structures of the ternary alloys of gallium-aluminum nitride, indium-gallium nitride and indium-aluminum nitride and silicon-tin nitride were predicted and afterwards a detailed analysis of their energetics and electronic properties was performed.

Φυσικές Επιστήμες ➨ Φυσική

Νανοσύρματα
Από πρώτες αρχές
Νιτρίδια
Molecular dynamics
Structure prediction
Πρόβλεψη δομής
Μοριακή δυναμική
Φυσικές Επιστήμες
Nitrides
Ab initio
Physical Sciences
Φυσική
Nanowires
Natural Sciences

Αγγλική γλώσσα

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ)
Aristotle University Of Thessaloniki (AUTH)

Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.