MOCVD Cobalt Oxide Deposition from Inclusion Complexes: Decomposition Mechanism, Structure, and Properties

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



MOCVD Cobalt Oxide Deposition from Inclusion Complexes: Decomposition Mechanism, Structure, and Properties

Karayianni, H. S.
Tsakiridis, P. E.
Hristoforou, E.
Σαραντοπούλου, Ευαγγελία
Papadopoulos, N. D.
Perraki, M.

Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό

2011


A novel precursor based on the inclusion complex of beta-cyclodextrin with CoI(2) is proposed for the deposition of cobalt oxide films by metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Deposition is viable through an abnormal behavior of the inclusion molecules during heating. A decomposition mechanism based on experimental results is proposed, while the films are examined in terms of microstructure, electrical, and magnetic properties. A uniform, nanocrystalline structure of Co(3)O(4) was revealed, along with impurities of silicide phases. The films presented a semiconducting behavior and minor in-plane magnetization.
Pennington

Χημεία (Γενικά) (EL)
Επιστήμη (Γενικά) (EL)
Τεχνολογία (Γενικά) (EL)
Technology (General) (EN)
Science (General) (EN)
Chemistry (General) (EN)

Materials Science, Coatings & Films
Electrochemistry

Αγγλική γλώσσα

Electrochemical Society Incorporated


Journal of the Electrochemical Society

© 2010 The Electrochemical Society.
© 2010 The Electrochemical Society. (EN)




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.