1. Αρχική σελίδα
  2. Αναζήτηση

Electronic structure and band - gap study of Si1-xCx

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο   

Αποθετήριο :
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Electronic structure and band - gap study of Si1-xCx (EN)
Xanthakis, JP (EN)
journalArticle (EN)
2014-03-01T01:09:23Z
1993 (EN)
The electronic structure of Si1-xCx has been calculated, in the region x > 0.5 in terms of x, the ratio of sp2 sites a and the short-range order parameters. By comparing Eg(x) to the experimental gaps we deduce that in the low hydrogenation limit the material is close to chemical order and that for high a, Eg (x) displays a hump, whereas at low a it is monotonic. © 1993. (EN)
Materials Science, Ceramics (EN)
Materials Science, Multidisciplinary (EN)
Electronic Structure (EN)
Band structure (EN)
Electronic properties (EN)
Chemical order (EN)
Electronic structure (EN)
Silicon carbide (EN)
Band Gap (EN)
Solid state physics (EN)
Amorphous materials (EN)
Band gap (EN)
Low hydrogenation limit (EN)
Journal of Non-Crystalline Solids (EN)
Αγγλική γλώσσα
ELSEVIER SCIENCE BV (EN)
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
Κεντρική Βιβλιοθήκη Ε.Μ.Π.
Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις μελών Δ.Ε.Π. σε περιοδικά



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.