LIGHT-EMISSION FROM SILICON NANOSTRUCTURES PRODUCED BY CONVENTIONAL LITHOGRAPHIC AND REACTIVE ION ETCHING TECHNIQUES

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
National Technical University of Athens

Αποθετήριο :
Digital Library of National Technical University of Athens | Dspace@NTUA

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου^*

Τίτλος

LIGHT-EMISSION FROM SILICON NANOSTRUCTURES PRODUCED BY CONVENTIONAL LITHOGRAPHIC AND REACTIVE ION ETCHING TECHNIQUES (EN)

Δημιουργός

GRIGOROPOULOS, S (EN)

PAPADIMITRIOU, D (EN)

NASSIOPOULOS, AG (EN)

GOGOLIDES, E (EN)

Τύπος

journalArticle (EN)

Partial document
Δημοσίευση σε περιοδικό (EL)

Article
Επιστημονικό άρθρο (EL)

Ημερομηνία έκδοσης

2014-03-01T01:11:09Z

1995 (EN)

Χρονολογία

1995 (EN)

Περιγραφή

Sub-ten nanometer diameter silicon pillars and silicon walls of the same thickness are Fabricated by using conventional optical lithography based on deep-UV exposure and reactive ion etching using fluorine only containing gases. The produced structures are studied for their luminescence properties. Visible photoluminescence with a peak in the range 580 to 650 nm is observed under Ar laser irradiation. (EN)

Επιστημονικό πεδίο

Physics, Condensed Matter (EN)

Natural Sciences ▶ Physical sciences
Φυσική συμπυκνωμένης ύλης (EL)

Θέμα

Reactive Ion Etching (EN)

FABRICATION (EN)

Περιοδικό

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH (EN)

Γλώσσα

Αγγλική γλώσσα

Εκδότης

AKADEMIE VERLAG GMBH (EN)