1. Αρχική σελίδα
  2. Αναζήτηση

Epitaxy and structural characterization of ZnSeTe layers grown on InP substrates

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο   

Αποθετήριο :
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Epitaxy and structural characterization of ZnSeTe layers grown on InP substrates (EN)
Pohl, UW (EN)
Raptis, YS (EN)
Strassburg, M (EN)
Kontos, AG (EN)
journalArticle (EN)
2014-03-01T01:18:57Z
2003 (EN)
ZnSeTe epilayers were grown on InP substrates with and without ZnCdSe buffer layers. Structural X-ray and Raman characterization results indicate a large range of Se composition in the epilayers. The introduction of a buffer layer and the control of the growth conditions improve the structure by limiting compositional variations close to the stoichiometric value where lattice matching conditions are met. Effects of plastic strain relaxation are thereby minimized. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. (EN)
Crystallography (EN)
Stoichiometry (EN)
A1. Stresses (EN)
Semiconducting zinc compounds (EN)
Lattice constants (EN)
A3. Metalorganic vapor phase epitaxy (EN)
A1. Characterization (EN)
A1. Raman (EN)
A1. X-ray diffraction (EN)
Substrates (EN)
Strain (EN)
X ray diffraction analysis (EN)
Relaxation processes (EN)
B1. Tellurites (EN)
Raman scattering (EN)
Epitaxial growth (EN)
B2. Semiconductor ternary compounds (EN)
Semiconducting indium phosphide (EN)
Plastic strain (EN)
Crystal structure (EN)
Journal of Crystal Growth (EN)
Αγγλική γλώσσα
ELSEVIER SCIENCE BV (EN)
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
Ψηφιακό Αποθετήριο της Κεντρικής Βιβλιοθήκης του ΕΜΠ | Dspace@NTUA
Κεντρική Βιβλιοθήκη Ε.Μ.Π.
Ιδρυματικό Αποθετήριο
Δημοσιεύσεις μελών Δ.Ε.Π. σε περιοδικά



*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.