Dependence of surface recombination velocity of p-type InSb on temperature and alpha particle bombardment

Το τεκμήριο παρέχεται από τον φορέα :
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών   

Αποθετήριο :
Πέργαμος   

δείτε την πρωτότυπη σελίδα τεκμηρίου
στον ιστότοπο του αποθετηρίου του φορέα για περισσότερες πληροφορίες και για να δείτε όλα τα ψηφιακά αρχεία του τεκμηρίου*



Dependence of surface recombination velocity of p-type InSb on temperature and alpha particle bombardment

Euthymiou, P.C. Skountzos, P.A. Ravanos, C.E. Hadjikontis, B.E.

scientific_publication_article
Επιστημονική δημοσίευση - Άρθρο Περιοδικού (EL)
Scientific publication - Journal Article (EN)

1981


The temperature dependence of surface recombination velocity S of p-type InSb upon alpha particle bombardment is studied from photomagnetoelectric measurements between 16 and 80 K. Warming the specimen above 16 K we observe an increase of S followed by an abrupt fall of S at about 30-40 K. Further warming produces a strong maximum of S at about 100-120 K. Bombardment with alpha particles increases S at all temperatures up to about 120 K. The whole behavior is explained on the basis of a model proposed by the authors in an earlier paper. © 1981. (EN)

Αγγλική γλώσσα

Ερευνητικό υλικό ΕΚΠΑ

https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/




*Η εύρυθμη και αδιάλειπτη λειτουργία των διαδικτυακών διευθύνσεων των συλλογών (ψηφιακό αρχείο, καρτέλα τεκμηρίου στο αποθετήριο) είναι αποκλειστική ευθύνη των αντίστοιχων Φορέων περιεχομένου.